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Controlled domain wall pinning in ferromagnetic nanowire by nanoparticles stray fields

机译:用铁磁纳米线控制畴壁钉扎   纳米粒子杂散场

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摘要

We report the results of experimental investigations of controlled domainwall (DW) pinning in a ferromagnetic nanowire (NW) by stray fields of twouniformly magnetized bistable ferromagnetic nanoparticles (NPs) placed oneither side of the NW and elongated parallel to the NW axis. We show bymagnetic force microscopy measurements that DW pinning strength essentiallydepends on the orientation of the NP magnetic moments relative to the NWmagnetization and can reach 20 mT. We also performed micromagnetic simulationsconfirming the influence of the magnetostatic interaction of the DW with the NPstray fields on the pinning strength. The possible realization of logic cellwith switchable logic function is discussed.
机译:我们报告了由两个均匀磁化的双稳态铁磁纳米颗粒(NP)的杂散场在铁磁纳米线(NW)中固定畴壁(DW)钉扎的实验研究的结果,该杂散磁场位于NW的任一侧并平行于NW轴拉长。我们通过磁力显微镜测量显示,DW钉扎强度基本上取决于NP磁矩相对于NW磁化的方向,并且可以达到20 mT。我们还进行了微磁模拟,以确认DW与NPstray磁场的静磁相互作用对钉扎强度的影响。讨论了具有可切换逻辑功能的逻辑单元的可能实现。

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